Б 243 Баранський, П. І. Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n-Si [Текст] / П. І. Баранський, В. М. Бабич, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2013. - № 9. - С. 87-92. - Бібліогр. в кінці ст.
Електроніка--Електронні напівпровідники Кл.слова (ненормовані): Рухливість -- Напівпровідник багатодолинний -- Нанофізика параметрів -- Кремній -- Дефекти -- Розсіювання Анотація: У широкому інтервалі концентрацій носіїв заряду при Т=77,4 К в дослідах з монокристалами кремнію n-типу експериментально одержано залежність граничних значень тензоопору від концентрації, яка дозволяє проводити розрахунки параметра анізотропії рухливості (а також, і параметра анізотропії розсіяння) для області азотних температур у припущенні, що досліджувані кристали є практично не компенсованими. Дод.точки доступу: Бабич, В. М.; Гайдар, Г. П. |