Відпал кластерів дефектів у зразках Si та Si (Ge), вирощених методом Чохральського [Текст] : научно-популярная литература / М.Д. Варенцов, Г.П. Гайдар, О.П. Долголенко, П.Г. Литовченко // Український фізичний журнал. - 2007. - Т. 52, № 4. - С. 372-377. - Бібліогр.: 20 назв. Рубрики: Кремній-дослідження--Кластери дефектів--відпал дефектів Кл.слова (ненормовані): опромінення -- "критична температура" -- ізотермічний відпал -- радіаційний відпал Дод.точки доступу: Варенцов, М.Д.; Гайдар, Г.П.; Долголенко, О.П.; Литовченко , П.Г.

621.315.592.3:546.28:539.12.04 Т 352         Термический отжиг кластеров и точечных дефектов в n-Si (Cz), облученном быстрыми нейтронами реактора [Текст] / А. П. Долголенко [и др.] // Ядерна фізика та енергетика. - 2008. - № 2 (24). - С. . 73-80. - Бібліогр. : с. 79-80 (27 назв.) УДК 621.315.592.3:546.28:539.12.04 Рубрики: Електрика--Вироблення, постачання електроенергії, електричні машини та прилади--Передача електричної енергії, провідники, ізоляційні матеріали--Провідники та напівпровідники; Електронні напівпровідники    Хімічні елементи--Неметали 3, 4, 6 груп--Кремній    Фізика--Фізична природа матерії--Ядерна, атомна, молекулярна фізика--Елементарні частинки Кл.слова (ненормовані): Радіаційні дефекти -- Дози опромінення -- Термічний відпал -- Ізохронний відпал -- Ізотермічний відпал -- Термічна стійкість -- Канал відпалу Анотація: Досліджено термічну стабільність кластерів і точкових дефектів у n-Si, вирощеному методом Чохральського, після опромінення швидкими нейтронами реактора. Ефективна концентрація носіїв після ряду ізохронних та ізотермічних відпалів опроміненого n-типу кремнію була обчислена в рамках уточненої моделі кластерів дефектів. Дод.точки доступу: Долголенко, А. П.; Варенцов, М. Д.; Гайдар, Г. П.; Литовченко, П. Г.