К 231 Каримов, А. В. Арсенид-галлиевые р+ - n - р+ -структуры с обедняемой базовой областью [Текст] / А. В. Каримов, Д. М. Ёдгоров, О. А. Абдулхаев> // Технология и конструирование в электронной апаратуре. - 2009. - № 3 (81). - С. 28-31. - Библиогр.: с. 31 (6 назв.)
Електрична енергія--Передача електричної енергії--Напівпровідники Кл.слова (ненормовані): Перемикачі -- Область збіднена -- Пробій зінеровський Дод.точки доступу: Ёдгоров, Д. М.; Абдулхаев, О. А. Є примірники у відділах: Зал період. - Б.ц. (вільний) |
М 744 Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs-nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами [Текст] / А. В. Каримов [и др.]> // Технология и конструирование в электронной апаратуре. - 2009. - № 4 (82). - С. 52-58. - Библиогр.: с. 58 (15 назв.)
Електрична енергія--Передача електричної енергії--Напівпровідники Кл.слова (ненормовані): Структура двобазова -- Гетероперехід -- Фоточутливість Дод.точки доступу: Каримов, А. В.; Ёдгорова, Д. М.; Гиясова, Ф. А.; Зоирова, Л. Х.; Абдулхаев, О. А.; Джураев, О. А. Є примірники у відділах: Зал період. - Б.ц. (вільний) |
К 231 Каримов, А. В. Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания [Текст] / А. В. Каримов, Д. М. Ёдгорова, Э. Н. Якубов> // Технология и конструирование в электронной апаратуре. - 2009. - № 5 (83). - С. 38-41. - Библиогр. в конце ст.
Електрична енергія--Передача електричної енергії--Напівпровідники Дод.точки доступу: Ёдгорова, Д. М.; Якубов, Э. Н. Є примірники у відділах: Зал період. - Б.ц. (вільний) |
М 735 Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n-p-m-структура [Текст] / А. В. Каримов [и др.]> // Технология и конструирование в электронной апаратуре. - 2009. - № 6 (84). - С. 31-34. - Библиогр. в конце ст.
Дод.точки доступу: Каримов, А. В.; Ёдгорова, Д. М.; Абдулхаев, О. А.; Гиясова, Ф. А.; Назаров, Ж. Т. Є примірники у відділах: Зал період. - Б.ц. (вільний) |