Козинець, О. В. Вплив магнітного поля на фотострум в гетероструктурах кремній-поруватий кремній [Текст] / О.В. Козинець, О.І. Ничипорук, М.М. Момот, В.В. Кислюк, В.А. Скришевський // Український фізичний журнал. - 2006. - Т. 51, № 6. - С. 575-580. - Бібліогр.: 13 назв. Рубрики: Оптоелектроніка--Напівпровідникові матеріали--Кремній Дод.точки доступу: Ничипорук, О.І.; Момот, М.М.; Кислюк, В.В.; Скришевський, В.А. |
Козинець, О. В. Фізичні властивості сенсорних структур на основі кремнієвого p-n-переходу з зустрічними гребінчатими контактами на тильній поверхні [Текст] / О. В. Козинець, С. В. Литвиненко // Український фізичний журнал. - 2012. - Т. 57, № 12. - С. 1235-1239. - Бібліогр. в кінці ст.
Електроніка--Електронні напівпровідники Автоматичні прилади перетворювачі--Датчики Дод.точки доступу: Литвиненко, С. В. |
Козинець, О. В. Теоретичний аналіз ефективності кремнієвих сонячних елементів з аморфізованими шарами в області просторового заряду [Текст] / О. В. Козинець, В. А. Скришевський // Український фізичний журнал. - 2015. - Т. 60, № 7. - С. 621-627. - Бібліогр. в кінці ст. Рубрики: Фізика--Фізика конденсованої матерії--Структури й перетворення--Електронні стани та електронні структури Енергетика--Альтернативні джерела енергії--Сонячна енергія Електроніка та радіотехніка--Джерела та приймачі випромінювання--Фотоприймачі Фізика--Фізична природа матерії--Властивості та структура молекулярних систем--Аморфність, аморфний стан, склоподібний стан Дод.точки доступу: Скришевський, В. А. |
Козинець, О. В. Фізичні властивості кремнієвих сенсорних структур з фотоелектричним принципом перетврення на основі "глибокого" p-n-переходу [Текст] / О. В. Козинець, С. В. Литвиненко, В. А. Скришевський // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 4. - С. 318-325. - Бібліогр. в кінці ст. Рубрики: Електроніка--Електронні напівпровідники Електроніка та радіотехніка--Джерела та приймачі випромінювання--Фотоприймачі Дод.точки доступу: Литвиненко, С. В.; Скришевський, В. А. |
Козинець, О. В. Аморфізований субмікронний шар в області просторового заряду: новий підхід до проблеми підвищення ефективності кремнієвих сонячих елементів [Text] / О. В. Козинець, В. А. Скришевський // Український фізичний журнал. - 2018. - Т. 63, № 1. - С. 37-47. - текст ст. англ. мов. - Бібліогр. в кінці ст. Рубрики: Фізика--Фізика конденсованої матерії--Структури й перетворення--Електронні стани та електронні структури Електроніка та радіотехніка--Джерела та приймачі випромінювання--Фотоприймачі Енергетика--Альтернативні джерела енергії--Сонячна енергія Дод.точки доступу: Скришевський, В. А. |