Фейчук, П. І. Дослідження діаграми стану CdTe-Te [Текст] / П.І. Фейчук, Л.П. Щербак; О.В. Копач, А.С. Томсон // ІІ Укр. наук. конф. з фізики напівпровідників: Тези доповідей. - Чернівці / Вижниця : "Рута" Чернівец. нац. ун-ту ім.Ю.Федьковича, 2004. - Т.2: Стендові доповіді. - С.19. . - Бібліогр.: 20 назв. Рубрики: Фізика--Напівпровідникові матеріали і технології Дод.точки доступу: Щербак, Л.П.; Копач, О.В.; Томсон, А.С. |
Фейчук, П. І. Адсорбційні властивості гетерогенних включень в кристалах Cd(Zn)Te [Текст] / П.І. Фейчук, Л.К. Щербак; В.Г. Іваницька // ІІ Укр. наук. конф. з фізики напівпровідників: Тези доповідей. - Чернівці / Вижниця : "Рута" Чернівец. нац. ун-ту ім.Ю.Федьковича, 2004. - Т.2: Стендові доповіді. - С.284-285. Рубрики: Фізика--Дефекти та домішки Дод.точки доступу: Щербак, Л.К.; Іваницька, В.Г. |
У455 Крилюк, С. Г. Люмінесцентні дослідження колоїдних розчинів нанокристалів CdTe [Текст] / С.Г. Крилюк, П.І. Фейчук; Л.П. Щербак, В.В. Стрільчук, В.П. Брикса, О.Ф. Коломис, Д.В. Корбутяк, М.Я. Валах // ІІ Укр. наук. конф. з фізики напівпровідників: Тези доповідей. - Чернівці / Вижниця : "РУТА" Чернівец. нац. ун-ту ім.Ю.Федьковича, 2004. - Т.1: Пленарні та секційні усні доповіді. - С.140.
Дод.точки доступу: Фейчук, П.І.; Щербак, Л.П.; Стрільчук, В.В.; Брикса, В.П.; Коломис, О.Ф.; Корбутяк, Д.В.; Валах, М.Я.; чернівецький автор, але не про Чернівці (Буковину) Є примірники у відділах: Інв.В 68801 - Б.ц. (вільний) |
Копил, А. І. Поведінка домішок ІІІ групи в кристалах твердих розчинів на основі IV та ІІ груп [Текст] / А.І. Копил, І.І. Павлович; П.І. Фейчук, Л.П. Щербак // Термоелектрика. - 2004. - № 3. - С. 45-51. - Бібліогр.: 18 назв. Рубрики: Фізика--Термоелектрика Анотація: Представлено результати досліджень впливу легування галієм на властивості монокристалів сполук А4В6 і А2В6 при вирощуванні з парової фази. Дод.точки доступу: Павлович , І.І.; Фейчук, П.І.; Щербак, Л.П. |
Об'ємні дефекти в кристалах твердих розчинів [A4B6] і [A2B6], вирощених з парової фази [Текст] / Р. С. Гунько [та ін.] // Термоелектрика. - 2008. - № 1. - С. . 43-47. - Бібліогр. : с. 47 (8 назв.) Рубрики: Кристали--Вирощування--Напівпровідникові розчини--Тверді Термоелектрика--Матеріалознавство--Монокристали Кл.слова (ненормовані): Монокристали -- Ступінь досконалості -- Рентгеноспектральний аналіз -- Термопружні деформації Анотація: Вивчено чинники, що визначають розвиток і морфологію об'ємних дефектів монокристалів. Встановлено залежності між параметрами технологічних процесів вирощування і структурними властивостями монокристалів. Дод.точки доступу: Гунько, Р. С.; Копил, О. І.; Павлович, І. І.; Фейчук, П. І.; Щербак, Л. П. |