539.23 Ф 796         Формирование нанокристаллов Ge в слоях SiO2 при быстрой термической обработке слоев Si/Ge [Текст] / П. И. Гайдук [и др.] // Вестник БГУ. Серия 1: Физика. Математика. Информатика. - 2007. - № 2. - С. 46-50. - Библиогр.: с. 50 (16 назв.) УДК 539.23 Рубрики: Фізика--Фізична природа матерії--Властивості та структура молекулярних систем--Одержання тонких плівок    Нанокластерні та нанокристалічні матеріали--Наноструктури--Тонкоплівкові структури Кл.слова (ненормовані): Нанокристал -- Самоорганізація -- Сегрегація Дод.точки доступу: Гайдук, П. И.; Ларсен, А. Н.; Норманд, П.; Клавари, А.