Влияние состояния поверхности и явлений экранирования на нуклеацию и рост искусственнных нанодоменов в сегнетоэлектриках-полупроводниках [Текст] / А.Н. Морозовская, Г.С. Свечников, С.В. Калинин та ін // Український фізичний журнал. - 2008. - Т. 53, № 7. - С. 697-705. - Бібліогр.: 38 назв. Рубрики: Сегнетоелектрики--Напівпровідники--Нанодомени-штучні--Домени скінченного радіуса Кл.слова (ненормовані): енергетичний бар'єр-висота -- критимчні розмері зародка Дод.точки доступу: Морозовская, А.Н.; Свечников, Г.С.; Калинин, С.В.; Румянцев, Е.Л.; Шишкин, Е.И.; и др.

Морозовская, А. Н.     Полярно-активные свойства сигнетоэлектрических нанокомпозитов (обзор) [Текст] / А. Н. Морозовская, С. В. Свечников // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: сб. науч. тр. - К. : Наук. думка, 2007. - Вип. 42. - С. 5-18. - Библиогр. в конце ст. УДК 621.382 Рубрики: Сегнетоелектрики--Нанокомпозити Дод.точки доступу: Свечников, С. В. Є примірники у відділах: 1 Інв.В 70834 - Б.ц. (вільний)

621.382 О 627     Морозовская, А. Н.     Наноразмерные сегнетоэлектрики [Текст] : (обзор) / А. Н. Морозовская, С. В. Свечников // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: сб. науч. тр. - К. : Наук. думка, 2008. - Вып. 43. - С. 5-20. - Библиогр. в конце ст. УДК 621.382 Рубрики: Сегнетоелектрики--Нанокомпозити Дод.точки доступу: Свечников, С. В. Є примірники у відділах: 1 Інв.В 71408 - Б.ц. (вільний)

621.382 О 627     Свечников, Г. С.     Наноинтеграция и самосборка в наноэлектронике [Текст] : (обзор) / Г. С. Свечников, А. Н. Морозовская // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: сб. науч. тр. - К. : Наук. думка, 2010. - Вып. 45. - С. 11-26. - Библиогр. в конце ст. УДК 621.382 Рубрики: Електроніка та радіотехніка    Нанотехнології Дод.точки доступу: Морозовская, А. Н. Є примірники у відділах: 1 Інв.В 72782 - Б.ц. (вільний)