В 428 Визначення вольт-амперної характеристики частотного перетворювача вологості на основі двох КМДН-транзисторів з активним індуктивним елементом [Текст] / В. С. Осадчук [и др.] // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. - 2007. - № 1 (13). - С. 53-58. - Бібліогр.: с. 58 (9 назв.)
Кл.слова (ненормовані): Сенсори вологості -- Відносна вологість -- Вологочутливий перетворювач Дод.точки доступу: Осадчук, В. С.; Осадчук, О. В.; Крилик, Л. В.; Звягін, О. С. |
Л 890 Дружинін, А. О. Приладно-технологічне моделювання керованих автоемісійних мікрокатодів на основі тривимірних КНІ-структур [Текст] / А. О. Дружинін, В. І. Голота, І. Т. Когут // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". - Львів : Вид-во Нац. ун-ту "Львів. політехніка", 2008. - № 619: Електроніка. - С. 42-52. - Бібліогр. в кінці ст.
Фізична хімія--Електрохімія--Електрохімічні прилади та обладнання--Конструктивні елементи електрохімічного електролізера; Електроди; Катоди Дод.точки доступу: Голота, В. І.; Когут, І. Т. Є примірники у відділах: 1 Інв.В 70997 - Б.ц. (вільний) |
Морозовская, А. Н. Полярно-активные свойства сигнетоэлектрических нанокомпозитов (обзор) [Текст] / А. Н. Морозовская, С. В. Свечников // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: сб. науч. тр. - К. : Наук. думка, 2007. - Вип. 42. - С. 5-18. - Библиогр. в конце ст.
Дод.точки доступу: Свечников, С. В. Є примірники у відділах: 1 Інв.В 70834 - Б.ц. (вільний) |
Охрименко, О. Б. Энергнтические состояния в кристале [TIGaS2] [Текст] / О. Б. Охрименко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: сб. науч. тр. - К. : Наук. думка, 2007. - Вип. 42. - С. 19-38. - Библиогр. в конце ст.
Є примірники у відділах: 1 Інв.В 70834 - Б.ц. (вільний) |
Русавский, А. В. Особенности трансформации водородных связей и графитизации свободного углевода в пленках a-SiC:H при вакуумном отжиге [Текст] / А. В. Русавский, А. В. Васин, А. Н. Назаров, В. С. Лысенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: сб. науч. тр. - К. : Наук. думка, 2007. - Вип. 42. - С. 39-44. - Библиогр. в конце ст.
Дод.точки доступу: Васин, А. В.; Назаров, А. Н.; Лысенко, В. С. Є примірники у відділах: 1 Інв.В 70834 - Б.ц. (вільний) |
Михайловська, К. В. Дослідження технічних характеристик болометричних елементів на основі плівки SiO×Co [Текст] / К. В. Михайловська, П. Є. Шепелявий, І. З. Індутний // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: сб. науч. тр. - К. : Наук. думка, 2007. - Вип. 42. - С. 45-50. - Библиогр. в конце ст.
Електроніка--Термобачення Дод.точки доступу: Шепелявий, П. Є.; Індутний, І. З. Є примірники у відділах: 1 Інв.В 70834 - Б.ц. (вільний) |
Власенко, Н. А. Влияние термополевой ионизации ионов Cr+ на излучательные характеристики тонкопленочных электролюминесцентных [ZnS:Cr2+] - структур [Текст] / Н. А. Власенко, П. Ф. Олексенко [и др.] // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: сб. науч. тр. - К. : Наук. думка, 2007. - Вип. 42. - С. 51-55. - Библиогр. в конце ст.
Фізика--Оптика--Розповсюдження світлових променів, відбиття, заломлення, поглинання, випромінюванння--Люмінесценція, флуоресценція, фосфоресценція; Хемілюмінесценція Дод.точки доступу: Олексенко, П. Ф.; Велигура, Л. И.; Денисова, Э. Л.; Мухльо, М. А. Є примірники у відділах: 1 Інв.В 70834 - Б.ц. (вільний) |
О 627 Морозовская, А. Н. Наноразмерные сегнетоэлектрики [Текст] : (обзор) / А. Н. Морозовская, С. В. Свечников // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: сб. науч. тр. - К. : Наук. думка, 2008. - Вып. 43. - С. 5-20. - Библиогр. в конце ст.
Дод.точки доступу: Свечников, С. В. Є примірники у відділах: 1 Інв.В 71408 - Б.ц. (вільний) |
О 627 Влияние концентрации Cr на характеристики тонкопленочных ZnS:Cr-структур [Текст] / Н. А. Власенко [и др.] // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: сб. науч. тр. - К. : Наук. думка, 2008. - Вып. 43. - С. 21-29. - Библиогр. в конце ст.
Дод.точки доступу: Власенко, Н. А.; Олексенко, П. Ф.; Велигура, Л. И.; Денисова, З. Л.; Мухльо, М. А. Є примірники у відділах: 1 Інв.В 71408 - Б.ц. (вільний) |
О 627 Магніторефрактивний ефект у монокристалах ZnO та 6H-SiC [Текст] / Є. Ф. Венгер [и др.] // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: сб. науч. тр. - К. : Наук. думка, 2008. - Вып. 43. - С. 30-37. - Библиогр. в конце ст.
Дод.точки доступу: Венгер, Є. Ф.; Євтушенко, А. І.; Мельничук, Л. Ю.; Мельничук, О. В. Є примірники у відділах: 1 Інв.В 71408 - Б.ц. (вільний) |
О 627 Інтерференційна фотолітографія з використанням трикомпонентного халькогенідного фоторезиста [Текст] / В. І. Минько [и др.] // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: сб. науч. тр. - К. : Наук. думка, 2008. - Вып. 43. - С. 38-43. - Библиогр. в конце ст.
Дод.точки доступу: Минько, В. І.; Шепелявий, П. Є.; Індутний, І. З.; Литвин, О. С.; Данько, В. А. Є примірники у відділах: 1 Інв.В 71408 - Б.ц. (вільний) |
О 627 О люминесцентном методе оценки качества кристаллов Cd1-xZnxTe, используемых для создания эффективных детекторов ядерного излучения [Текст] / К. Д, Глинчук [и др.] // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: сб. науч. тр. - К. : Наук. думка, 2008. - Вып. 43. - С. 44-48. - Библиогр. в конце ст.
Фізика--Фізична природа матерії--Ядерна, атомна, молекулярна фізика--Лічильники частинок, детектори частинок Дод.точки доступу: Глинчук, К. Д,; Литовченко, Н. М.; Прохорович, А. В.; Стрильчук, О. Н. Є примірники у відділах: 1 Інв.В 71408 - Б.ц. (вільний) |
О 627 Сукач, А. В. Особенности процессов рекомбинации неравновесных носителей заряда в p-InAs [Текст] / А. В. Сукач, В. В. Тетеркин, С. В. Старый // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: сб. науч. тр. - К. : Наук. думка, 2008. - Вып. 43. - С. 49-57. - Библиогр. в конце ст.
Дод.точки доступу: Тетеркин, В. В.; Старый, С. В. Є примірники у відділах: 1 Інв.В 71408 - Б.ц. (вільний) |
О 627 Оптимизация оптических параметров тонких пленок для колориметрического анализа газовых сред [Текст] / А. А. Валуха [и др.] // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: сб. науч. тр. - К. : Наук. думка, 2008. - Вып. 43. - С. 58-66. - Библиогр. в конце ст.
Фізика--Оптика--Інтереренція, дифракція, дифракційне розсіяння Дод.точки доступу: Валуха, А. А.; Кукла, А. Л.; Хоруженко, В. Ю.; Самойлова, И. А. Є примірники у відділах: 1 Інв.В 71408 - Б.ц. (вільний) |
О 627 Определение оптических констант тонких пленок нолианилина с помощью поверхностного плазмонного резонанса [Текст] / Ю. М. Ширшов [и др.] // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: сб. науч. тр. - К. : Наук. думка, 2008. - Вып. 43. - С. 67-73. - Библиогр. в конце ст.
Фізика--Фізика конденсованої матерії (в рідинному та твердому стані)--Явища та властивості (крім процесів переносу)--Оптичні властивості та спектри Фізика--Фізична природа матерії--Властивості та структура молекулярних систем--Ніздрювата структура, волокниста структура, пластична структура, плівки, тонкі плівки Дод.точки доступу: Ширшов, Ю. М.; Посудиевский, О. Ю.; Самойлов, А. В.; Суровцева, Е. Р.; Ушенин, Ю. В.; Христосенко, Р. В.; Венгер, Е. Ф.; Мирский, В. М. Є примірники у відділах: 1 Інв.В 71408 - Б.ц. (вільний) |
О 627 Влияние ультразвуковой обработки на электрические свойства InAs p-n-переходов [Текст] / А. В. Сукач [и др.] // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: сб. науч. тр. - К. : Наук. думка, 2008. - Вып. 43. - С. 74-82. - Библиогр. в конце ст.
Дод.точки доступу: Сукач, А. В.; Тетеркин, В. В.; Савкина, Р. К.; Ворощенко, А. Т.; Лукьяненко, В. И. Є примірники у відділах: 1 Інв.В 71408 - Б.ц. (вільний) |
О 627 Стокс-поляриметрический анализ внутреннего отражения, основанный на модуляции поляризации электромагнитного излучения [Текст] / Л. Й. Бережинский [и др.] // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: сб. науч. тр. - К. : Наук. думка, 2008. - Вып. 43. - С. 83-91. - Библиогр. в конце ст.
Дод.точки доступу: Бережинский, Л. Й.; Матяш, И. Е.; Руденко, С. П.; Сердега, Б. К. Є примірники у відділах: 1 Інв.В 71408 - Б.ц. (вільний) |
О 627 Тріщук, Л. І. Вирощування монокристалів сульфоселенідів цинку та кадмію крислалізацією із розчинів в розплавах Cu2Se i Ag2Se [Текст] / Л. І. Тріщук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: сб. науч. тр. - К. : Наук. думка, 2008. - Вып. 43. - С. 92-97. - Библиогр. в конце ст.
Є примірники у відділах: 1 Інв.В 71408 - Б.ц. (вільний) |
О 627 Апробация фотодеполяризационной спектроскопии как методика исследования электронных переходов в пленках SiOx и SiOx : Er, F [Текст] / Н. А. Власенко [и др.] // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: сб. науч. тр. - К. : Наук. думка, 2008. - Вып. 43. - С. 98-102. - Библиогр. в конце ст.
Фізика--Фізична природа матерії--Властивості та структура молекулярних систем--Ніздрювата структура, волокниста структура, пластична структура, плівки, тонкі плівки Дод.точки доступу: Власенко, Н. А.; Олексенко, П. Ф.; Денисова, З. Л.; Велигура, Л. И.; Мухльо, М. А. Є примірники у відділах: 1 Інв.В 71408 - Б.ц. (вільний) |
О 627 Вплив термообробки на низькотемпературну фотолюмінесценцію кристалів Cd1-xZnxTe [Текст] / Н. О. Коваленко [и др.] // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: сб. науч. тр. - К. : Наук. думка, 2008. - Вып. 43. - С. 103-106. - Библиогр. в конце ст.
Дод.точки доступу: Коваленко, Н. О.; Комар, В. К.; Насєка, Ю. М.; Прохорович, А. В.; Стрільчук, О. М.; Герасименко, А. С. Є примірники у відділах: 1 Інв.В 71408 - Б.ц. (вільний) |