О-627 Сукач, А. В. Процессы генерации и рекомбинации носителей в асениде индия и фотодиодах на его основе [Текст] / А. В. Сукач, В. В. Тетеркин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: сб. науч. тр. - К. : Наук. думка, 2007. - Вип. 42. - С. 103-113. - Библиогр. в конце ст.
Дод.точки доступу: Тетеркин, В. В. Є примірники у відділах: 1 Інв.В 70834 - Б.ц. (вільний) |
О 627 Сукач, А. В. Особенности процессов рекомбинации неравновесных носителей заряда в p-InAs [Текст] / А. В. Сукач, В. В. Тетеркин, С. В. Старый // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: сб. науч. тр. - К. : Наук. думка, 2008. - Вып. 43. - С. 49-57. - Библиогр. в конце ст.
Дод.точки доступу: Тетеркин, В. В.; Старый, С. В. Є примірники у відділах: 1 Інв.В 71408 - Б.ц. (вільний) |
О 627 Влияние ультразвуковой обработки на электрические свойства InAs p-n-переходов [Текст] / А. В. Сукач [и др.] // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: сб. науч. тр. - К. : Наук. думка, 2008. - Вып. 43. - С. 74-82. - Библиогр. в конце ст.
Дод.точки доступу: Сукач, А. В.; Тетеркин, В. В.; Савкина, Р. К.; Ворощенко, А. Т.; Лукьяненко, В. И. Є примірники у відділах: 1 Інв.В 71408 - Б.ц. (вільний) |
О 627 Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p-n-переходів [Текст] / А. В. Сукач [и др.] // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: сб. науч. тр. - К. : Наук. думка, 2010. - Вып. 45. - С. 109-116. - Бібліогр. в кінці ст.
Фізика--Електрика, магнетизм, електромагнетизм--Електричний струм, електрокінетика--Провідність у напівпровідниках Дод.точки доступу: Сукач, А. В.; Тетьоркін, В. В.; Мазарчук, І. О.; Кролевець, М. М.; Лук'яненко, В. І.; Луцишин, І. Г. Є примірники у відділах: 1 Інв.В 72782 - Б.ц. (вільний) |
О 627 Властивості подвійних гетеропереходів р[[p]]+[[/p]]-InP/n-InGaAsP/n-InP отриманих за різних технологічних режимів [Текст] / С. І. Круковський, А. В. Сукач, В. В. Тетьоркін [та ін.] // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: сб. науч. тр. - 2011. - Вип. 46. - С. 74-80. - Бібліогр. в кінці ст.
Дод.точки доступу: Круковський, С. І.; Сукач, А. В.; Тетьоркін, В. В.; Мрихін, І. О.; Михащук, Ю. С. Є примірники у відділах: 1 Інв.В 73175 (вільний) |
О 627 Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах [Текст] / А. В. Сукач, В. В. Тетьоркін, А. Т. Ворощенко [та ін.] // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: сб. науч. тр. - 2011. - Вип. 46. - С. 111-118. - Бібліогр. в кінці ст.
Дод.точки доступу: Сукач, А. В.; Тетьоркін, В. В.; Ворощенко, А. Т.; Кравецький, М. Ю.; Лук'яненко, В. І.; Луцишин, І. Г. Є примірники у відділах: 1 Інв.В 73175 (вільний) |
О 627 Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p[[p]]+[[/p]]-InP/n-SnGaAsP/n-InP [Текст] / С. І. Куковський, А. В. Сукач, В. В. Тетьоркін [та ін.] // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: сб. науч. тр. - К. : Наук. думка, 2012. - Вип. 47. - С. 64-69. - Бібліогр. в кінці ст.
Дод.точки доступу: Куковський, С. І.; Сукач, А. В.; Тетьоркін, В. В. Є примірники у відділах: 1 Інв.В 74073 (вільний) |
О 627 Електричні властивості структур In/p-PbTe [Текст] / Г. П. Маланич, А. В. Сукач, В. В. Тетьоркін [та ін.] // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: сб. науч. тр. - К. : Наук. думка, 2012. - Вип. 47. - С. 84-90. - Библиогр. в конце ст.
Фізика--Фізика конденсованої матерії--Структури й перетворення--Електронні стани та електронні структури Напівпровідники Дод.точки доступу: Маланич, Г. П.; Сукач, А. В.; Тетьоркін, В. В. Є примірники у відділах: 1 Інв.В 74073 (вільний) |