Головна
Місце
зберігання
примірників

Бази даних


Систематична картотека статей- результати пошуку

Вид пошуку

Зона пошуку
 Знайдено у інших БД:Конференції і вісники (1)
Формат представлення знайдених документів:
повнийінформаційнийкороткий
Відсортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнятипом документа
Пошуковий запит: <.>K=точкові дефекти<.>
Загальна кількість знайдених документів : 11
Показані документи с 1 за 11
1.


   
    Дефекты в слоях GaAs и InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах [Текст] : научное издание / Л.Г. Лаврентьева, М.Д. Вилисова, И.А. Бобровникова та ін // Известия высших учебных заведений : Физика. - 2006. - Т. 49, № 12. - С. 63-72. - Бібліогр.: 34 назви
Рубрики: Фзика напівпровідників та діелектриків--Матеріалознавство--Наноматеріали та наноструктури
Кл.слова (ненормовані):
Точкові дефекти -- Мікрорельєф -- Дифракційний пік
Анотація: Аналізується вплив умов зростання на морфологію поверхні, внутрішню структуру, тип та концентрацію електрично й оптично активних точкових дефектів.


Дод.точки доступу:
Лаврентьева, Л.Г.; Вилисова, М.Д.; Бобровникова, И.А.; Ивонин, И.В.; Преображенский, В.В.; Чалдышев, В.В.

Знайти схожі

2.


    Бабущак , Г. Я.
    Кристалохімія точкових дефектів у n-ZnS і механізми взаємодії з киснем. [Текст] : научно-популярная литература / Г.Я. Бабущак , Н.В. Сташко, Н.Д. Фреїк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2007. - Т. 8, № 2. - С. 342-346. - Бібліогр.: 9 назв.
Рубрики: Кристалоквазіхімічі формули-- концентрації дефектів--Холлівська концентрація--легована ізоаалентна домішка
Кл.слова (ненормовані):
цинку сульфід -- точкові дефекти -- кисень


Дод.точки доступу:
Сташко, Н.В.; Фреїк, Н.Д.

Знайти схожі

3.


   
    Кристалоквазіхімічні формули нестехіометричного плюмбум телуриду із складним спектром точкових дефектів і процеси саморегулровання. [Текст] : научно-популярная литература / В.М. Бойчук, О.В. Ткачик, Л.В. Туровська , Н.І. Дикун // Фізика і хімія твердого тіла. - 2007. - Т. 8, № 2. - С. 366-373. - Бібліогр.: 12 назв.
Рубрики: Кристалоквазіхімічі формули--Розрахунок концентрації дефектів--Халькогеніди--плюмбум телурид
Кл.слова (ненормовані):
Плюмбум -- Телур -- точкові дефекти


Дод.точки доступу:
Бойчук, В.М.; Ткачик, О.В.; Туровська , Л.В.; Дикун, Н.І.

Знайти схожі

4.


   
    Вплив відхилення від стехіометрії на дефектну підсистему кристалів CdTe : Cd [Текст] : научно-популярная литература / Д.М. Фреїк, В.В. Прокопів, І.В. Горічок, У.М. Писклинець // Фізика і хімія твердого тіла. - 2008. - Т. 9, № 2. - С. 270-273. - Бібліогр.: 17 назв.
Рубрики: Кристали--Дефектна підсистема--Телурид кадмію--Термодинамічний потенціал
Кл.слова (ненормовані):
Точкові дефекти -- електричні властивості


Дод.точки доступу:
Фреїк, Д.М.; Прокопів, В.В.; Горічок, І.В.; Писклинець, У.М.

Знайти схожі

5.


   
    Кристалохімія дефектів та механізми самолегування у кристалах цинк селеніду [Текст] : научно-популярная литература / Д.М. Фреїк, Г.Я. Бабущак , П.В. Жуковскі, В.І Левченко // Фізика і хімія твердого тіла. - 2008. - Т. 9, № 2. - С. 274-279. - Бібліогр.: 11 назв.
Рубрики: Кристалохімія--Кристалоквазіхімічні формули--Самолеговані кристали
Кл.слова (ненормовані):
точкові дефекти


Дод.точки доступу:
Фреїк, Д.М.; Бабущак , Г.Я.; Жуковскі, П.В.; Левченко, В.І

Знайти схожі

6.


   
    Кристалохімічні моделі точкових дефектів і фізико-хімічні властивості напівпровідникових кристалів ZnS [Текст] : научно-популярная литература / Л.Й. Межиловська, Г.Я. Бабущак , Н.Д. Фреїк та ін // Фізика і хімія твердого тіла. - 2008. - Т. 9, № 2. - С. 280-285. - Бібліогр.: 12 назв.
Рубрики: Кристалоквазіхімічі формули--Розрахунок концентрації дефектів--Квазіхімічні рівняння
Кл.слова (ненормовані):
цинк сульфід -- точкові дефекти -- легування


Дод.точки доступу:
Межиловська, Л.Й.; Бабущак , Г.Я.; Фреїк, Н.Д.; Сташко, Н.В.; Перкатюк , І.Й.

Знайти схожі

7.


    Шарп, Дж.
    Технологія отримання [Bi90Sb10] шляхом рівноканальної кутової екструзії [Текст] / Дж. Шарп, Дж.-Т. Ім, К. Т. Хартвіг // Термоелектрика. - 2007. - № 4. - С. . 54-60. - Бібліогр. : с. 60 (5 назв.)
Рубрики: Термоелектрика--Матеріалознавство
Кл.слова (ненормовані):
Концентрація носіїв -- Точкові дефекти -- Гексагональна структура -- Високотекстурований сплав
Анотація: Розглянуто можливі механізми, внаслідок яких хімічна неоднорідність приводить до неоднорідного подрібнення зерна в BiSb. Аналіз зразків за допомогою полюсних фігур показує, що технолоія рівноканальної кутової екструзії може ефективно застосовуватися для створення кристалографічної текстури.


Дод.точки доступу:
Ім, Дж.-Т.; Хартвіг, К. Т.

Знайти схожі

8.
548.4:539.1.074
М 746


   
    Можливості підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів [Текст] / П. Г. Литовченко [и др.] // Ядерна фізика та енергетика. - 2008. - № 2 (24). - С. . 60-67. - Бібліогр. : с. 66-67 (22 назв.)
УДК
Рубрики: Фізика--Фізична природа матерії--Ядерна, атомна, молекулярна фізика--Лічильники частинок, детектори частинок
   Хімія--Кристалографія--Дефекти кристалів

Кл.слова (ненормовані):
Точкові дефекти -- Радіаційні дефекти -- Ефективні центри розсіювання -- Ефективні центри рекомбінації -- Ізовалентні домішки -- Легування -- Попередня обробка -- Відпал
Анотація: Оптичними та електричними методами вивчено параметри кремнію, опроміненого різними видами і флюенсами високоенергетичного випромінювання з наступними термообробками. Показано, що підвищення радіаційної стійкості кремнію можна одержати за допомогою попередньої радіаційно-термічної обробки.


Дод.точки доступу:
Литовченко, П. Г.; Барабаш, Л. І.; Бердніченко, С. В.; Бізелло, Д.; Варенцов, М. Д.; Варніна, В. І.; Гроза, А. А.; Долголенко, О. П.; Карпенко, А. Я.; Кібкало, Т. І.; Ластовецький, В. Ф.; Литовченко, О. П.; Підтинних, В. Н.; Полівцев, Л. А.; Смірнов, С. Б.; Старчик, М. І.

Знайти схожі

9.
621.315.592:539.219.1
Б 824


    Борик, В. В.
    Диспропорціювання зарядового стану домішки та фізико-хімічні властивості легованих кристалів плюмбум телуриду PbTe:Tl [Текст] / В. В. Борик, Л. В. Туровська, Л. Й. Межиловська // Фізика і хімія твердого тіла. - 2008. - Т. 9, № 3. - С. . 598-603. - Бібліогр. : с. 603 (14 назв.)
УДК
Рубрики: Електрика--Вироблення, постачання електроенергії, електричні машини та прилади--Передача електричної енергії, провідники, ізоляційні матеріали--Провідники та напівпровідники; Електронні напівпровідники
   Фізика--Фізична природа матерії--Властивості та структура молекулярних систем--Інші властивості; Неоднорідність, забруднення, домішки, гетерогенність

Кл.слова (ненормовані):
Кристалоквазіхімічні формули -- Точкові дефекти -- Електрично активні -- Концентрація носіїв струму -- Холлівська концентрація -- Повне рівняння електронейтральності


Дод.точки доступу:
Туровська, Л. В.; Межиловська, Л. Й.

Знайти схожі

10.
537.323:544.022.341
М 421


    Меджиловська, Л. Й.
    Механізми акцепторного легування натрієм термоелектричного плюмбум телуриду PbTe:Na [Текст] / Л. Й. Меджиловська, Н. І. Дикун, Л. В. Туровська // Фізика і хімія твердого тіла. - 2008. - Т. 9, № 4. - С. 814-821. - Бібліогр.: с. 821 (6 назв.)
УДК
Рубрики: Термоелектрика--Матеріалознавство
   Фізична хімія--Хімічний склад, структура, ізотопи--Структура--Безпорядок, невпорядкованість; Структурний безпорядок, атомні дефекти; Точкові дефекти

Кл.слова (ненормовані):
Кристалоквазіхімія -- Точкові дефекти


Дод.точки доступу:
Дикун, Н. І.; Туровська, Л. В.

Знайти схожі

11.
548.55
Е 502


   
    Електричні властивості монокристалів CdTeAs при високих температурах [Текст] / Ю. Ю. Обедзинська [та ін.] // Фізика і хімія твердого тіла. - 2008. - Т. 9, № 4. - С. 836-840. - Бібліогр.: с. 840 (7 назв.)
УДК
Рубрики: Кристалографія--Монокристали
Кл.слова (ненормовані):
Кадмій телурид -- Легований арсеном -- Ефект Холла -- Точкові дефекти


Дод.точки доступу:
Обедзинська, Ю. Ю.; Фочук, П. М.; Панчук, О. Е.; Юрійчук, І. М.

Знайти схожі